Patents
- 1[21] 점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법 / 대한민국 (2016.11.14)
- 1[20] 수직형 발광다이오드 제조방법 및 수직형 발광다이오드 / 대한민국 (2015.03.24)
- 2[19] 산화물 기반의 고 유연성 투명전극 / 대한민국 (2014.10.01)
- 3[18] 고열전도 클래드 메탈 제조방법 / 대한민국 (2013.09.04)
- 4[17] 고방열 클래드 메탈 제조방법 / 대한민국 (2013.06.05)
- 5[16] SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME / United States Patent (Fab.26, 2013)
- 6[15] WAFER STRUCTURES AND WAFER BONDING METHODS / United States Patent (Sep.18, 2012)
- 7[14] LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME / United States Patent (Jul.17, 2012)
- 8[13] TOP-EMITTING NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DEVICE WITH OHMIC CHARACTERISTICS AND LUMONOUS EFFICIENCY / United States Patent (Nov.8, 2011)
- 9[12] FLIP-CHIP LIGHT EMITTING DIODES AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF / United States Patent (Jan.18, 2011)
- 10[11] METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL LIGHT EMITTING DEVICE / United States Patent (Aug.24, 2010)
- 11[10] LIGHT EMITTING DIODE HAVING A WIRE GRID POLARIZER / United States Patent (Aug.23, 2010)
- 12[9] MULTIPLE REFLECTION LAYER ELECTRODE, COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE SAME AND METHODS OF FABRICATING THE SAME / United States Patent (Jun.15, 2010)
- 13[8] NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING GRID CELL LAYER / United States Patent (Feb.3, 2009)
- 14[7] NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME / United States Patent (Feb.3, 2009)
- 15[6] 수직형 발광 소자의 제조 / 대한민국 (2006.11.24)
- 16[5] 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 / 대한민국 (2006.10.9)
- 17[4] 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 / 대한민국 (2006.8.11)
- 18[3] 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 / 대한민국 (2006.8.4)
- 19[2] 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 / 대한민국 (2006.4.19)
- 20[1] METHOD FOR MANUFACTURING ZINC OXIDE SEMICONDUCTORS / United States Patent (Fab.8, 2005)